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独立行政法人日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 第12回研究会「相平衡図とバルク結晶成長」, 2023年5月18日, 東北大学多元物質科学研究所
1)
(Invited) 炉内ガス種の熱力学解析に基づいたAlNの超高速気相成長の実現
熊谷 義直, 後藤 健, 永島 徹, 山本 玲緒, 山田 敦史
5月18日発表, 口頭.
21st International Workshop on Junction Technology 2023 (IWJT2023), June. 8-9, 2023, Kyoto University + Online, Kyoto, Japan
2)
(Invited) Ion Implantation Doping Technology for Ga2O3 and Its Application to Device Fabrication
Masataka Higashiwaki, Ken Goto, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
Presentation: June. 8, S2-4 INV, Oral.
応用物理学会 応用電子物性分科会／結晶工学分科会 合同研究会「次世代ワイドギャップパワーデバイスの最前線」, 2023年6月12日-13日, ウインクあいち
3)
(Invited) ベータ酸化ガリウムデバイス開発の最近の進展
東脇 正高, 上村 崇史, 大槻 匠, Sandeep Kumar, Zhenwei Wang, 江口 輝生, 佐藤 翔太,
谷口 奨季, 中岡 蔵, 村上 尚, 熊谷 義直
6月12日発表, 口頭.
4)
(Invited) HVPE法による縦型Ga2O3デバイス用高純度高速エピ成長
熊谷 義直, 後藤 健, 村上 尚, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 東脇 正高
6月13日発表, 口頭.
日本結晶成長学会ナノ構造?エピタキシャル成長分科会 第15回ナノ構造?エピタキシャル成長講演会, 2023年6月15日-17日, 山形テルサ
5)
HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長におけるV/III比の影響
坂野 秀将, 後藤 健, 永島 徹, 山本 玲緒, Michał Boćkowski, 山田 敦史, 熊谷 義直
6月15日発表, Th-P03, ポスター.
6)
高分解能質量分析によるトリエチルガリウムとジエチルガリウムエトキシドの熱分解?燃焼メカニズムの比較
奥山 貴仁, 外里 遥, 池永 和正, 佐々木 捷悟, 石川 真人, 町田 英明, 後藤 健, 熊谷 義直
6月15日発表, Th-P14, ポスター.
7)
β-Ga2O3(010)オフ基板を用いたホモエピタキシャル成長
新田 恭平, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直
6月16日発表, Fr-P11, ポスター.
8)
(Invited) MOVPE法による高純度β-Ga2O3結晶成長の化学反応メカニズム
後藤 健, 池永 和正, 外里 遥, 奥山 貴仁, 佐々木 捷悟, 朴 冠錫, 吉永 純也,
石川 真人, 町田 英明, 熊谷 義直
6月16日発表, Fr-I01, 口頭.
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE20), July. 30-Aug. 4, 2023, University Campus San Giovanni a Teduccio, Naples, Italy
9)
High-rate growth of pure β-Ga2O3 thick layers on 2-inch-diameter substrates by hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy
K. Goto, J. Yoshinaga, G. Piao, K. Ikenaga, H. Tozato, T. Okuyama, H. Murakami, Y. Kumagai
Presentation: Aug. 3, Poster presentation-67, Poster.
The 6th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2023), Aug. 13-16, 2023, Buffalo, NY, U.S.A.
10)
Fast Growth and Characterization of Undoped β-Ga2O3 on 2-Inch Substrates Using a Horizontal Hot-Wall MOVPE System
K. Ikenaga, J. Yoshinaga, P. Guanxi, H. Tozato, T. Okuyama, K. Goto, Y. Kumagai
Presentation: Aug. 15, EG+BG-TuA-4, Oral.
一般社団法人ワイドギャップ半導体学会（WideG）特別公開シンポジウム「各種バルク材料の成長?合成の最前線」, 2023年9月7日-8日, 姫路キャッスルグランヴィリオホテル
11)
(Invited) 低転位密度?高深紫外光透過率AlN基板の気相成長
熊谷 義直, 後藤 健, 永島 徹, 山本 玲緒, 山田 敦史
9月8日発表, 口頭.
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年9月19日-23日, 熊本城ホールほか3会場＋オンライン
12)
ホットウォール有機金属気相成長法による2インチ基板上高純度β-Ga2O3厚膜の高速成長
吉永 純也, 朴 冠錫, 池永 和正, 外里 遥, 奥山 貴仁, 後藤 健, 熊谷 義直
9月19日発表, 19a-A302-4, 現地口頭.
13)
AlNのHVPEホモエピタキシャル成長におけるV/III比の影響
坂野 秀将, 後藤 健, 永島 徹, 山本 玲緒, Michał Boćkowski, 山田 敦史, 熊谷 義直
9月20日発表, 20a-B101-6, 現地口頭.
14)
β-Ga2O3(010)基板上ホモエピタキシャル成長の基板オフ角依存性
新田 恭平, 後藤 健, 村上 尚 , 熊谷 義直
9月20日発表, 20p-A302-6, 現地口頭.
15)
HVPE法によるβ-Ga2O3(010)基板上Siドープβ-Ga2O3層の成長
田中 舞, 河野 有佑, 後藤 健, 熊谷 義直
9月20日発表, 20p-A302-8, 現地口頭.
48th Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2023), Sep. 17-22, 2023, Montreal, Quebec, Canada
16)
Temperature dependence of the anisotropic dielectric properties of semi-insulating β-Ga2O3 in the terahertz region
Shuang Liu, Verdad C. Agulto, Toshiyuki Iwamoto, Kosaku Kato, Masato Ota, Ken Goto,
Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masashi Yoshimura, Makoto Nakajima
Presentation: Sep. 21, Th-P2-14, Poster.
42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42), Oct. 11-13, 2023, THE KASHIHARA, Nara, Japan
17)
Development of a mass-production HVPE system and demonstration of beta-Ga2O3 growth on a 6-inch sapphire substrate
Y. Shimizu, K. Naito, K. Sasaki, K. Goto, and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 13, Fr1-6, Poster.
日本赤外線学会 第32回研究会, 2023年11月9日-10日, 関西大学梅田キャンパス
18)
テラヘルツ分光によるエピタキシャルβ-Ga2O3の温度特性
劉 爽, Verdad C Agulto, 岩本 敏志, 加藤 康作, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直, 吉村 政志, 中嶋 誠
11月9日発表, P-9, ポスター.
薄膜材料デバイス研究会 第20回研究集会「薄膜材料デバイス研究会が見据える次世代技術?未来デバイス」, 2023年11月9日-10日, 龍谷大学響都ホール
19)
(Invited) III族酸化物半導体結晶成長の熱力学的検討
富樫 理恵, 後藤 健, 東脇 正高, 熊谷 義直
11月10日発表, 10p-I01, 現地口頭.
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nov. 12-17, 2023, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan
20)
(Late News) Homoepitaxial growth of thick AlN layers by HVPE using solid AlCl3
Toshinari Nukaga, Hideyuki Sakano, Takao Nishida, Ken Goto, Takayuki Kai, Masahiko Tsuchiya,
Ken Sasakura, Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 14, LN2-1, Oral.
21)
(Invited) High-speed growth of thick AlN homoepitaxial layers by HVPE for mass production of high-quality AlN wafers
Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Toru Nagashima, Reo Yamamoto, Michał Boćkowski, Atsushi Yamada
Presentation: Nov. 17, GR18-4, Oral.
独立行政法人日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会 第15回研究会「ワイドギャップパワー半導体：β-Ga2O3とダイヤモンド」, 2024年1月11日-12日, 四日市市地場産業振興センター
22)
(Invited) THVPE法によるパーティクルフリーβ-Ga2O3ホモエピタキシャル成長
村上 尚, 新田 恭平, 後藤 健, 熊谷 義直
1月12日発表, 口頭.
23)
(Invited) β-Ga2O3電子デバイス開発の進展
東脇 正高, 大槻 匠, 上村 崇史, Zhenwei Wang, 佐藤 翔太, 江口 輝生, 中岡 蔵, 谷口 奨季, 村上 尚,
熊谷 義直
1月12日発表, 口頭.
先端ICTデバイスラボ コラボレーションミーティング2024, 2024年1月19日, 情報通信研究機構
24)
MOVPE法による高純度β-Ga2O3ホモエピタキシャル層の成長
吉永 純也, 佐々木 捷悟, 後藤 健, Zhenwei Wang, 東脇 正高, 熊谷 義直
1月19日発表, No. 20, ポスター.
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices 2024 (WOCSEMMAD 2024), Feb. 20-23, 2024, Las Vegas, NV, U.S.A.
25)
Vertical Ga2O3 (010) FinFETs
Masataka Higashiwaki, Zhenwei Wang, Sandeep Kumar, Takafumi Kamimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
Presentation: Feb. 21, Oral.
8th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2024 (IEEE EDTM 2024), Mar. 3-6, 2024, Bangalore, India
26)
(Invited) Development of vertical Ga2O3 power devices and their processing technologies
Masataka Higashiwaki, Zhenwei Wang, Sandeep Kumar, Shota Sato, Kohki Eguchi, Kura Nakaoka,
Syoki Taniguchi, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Mar. 5, 5G-2, Oral.
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年3月22日-25日, ハイブリッド開催（東京都市大学世田谷キャンパス＋オンライン）
27)
(第55回講演奨励賞受賞記念講演) 減圧ホットウォールMOVPE法による高純度ベータ酸化ガリウム厚膜の高速成長及びデバイス応用に向けた今後の展望
吉永 純也, 朴 冠錫, 池永 和正, 外里 遥, 奥山 貴仁, 後藤 健, 熊谷 義直
3月23日発表, 23p-31A-1, 現地口頭.
28)
MBE法による(AlxGa1-x)2O3結晶成長の熱力学的検討
富樫 理恵, 東脇 正高, 熊谷 義直
3月23日発表, 23p-31A-5，現地口頭.
29)
Ga2O3 (010) FinFETs with On-Axis (100) Gate Sidewalls
Zhenwei Wang, Sandeep Kumar, Takafumi Kamimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai,
Masataka Higashiwaki
3月25日発表, 25p-52A-1，現地口頭.
30)
減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa2O3薄膜の電気的特性（１）
森原 淳, 稲嶌 仁, Wang Zhenwei, 吉永 純也, 佐藤 翔太, 江口 輝生, 熊谷 義直, 東脇 正高
3月25日発表, 25p-61A-8, 現地口頭.
31)
減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa2O3薄膜の電気的特性（２）
稲嶌 仁, 森原 淳, Wang Zhenwei, 吉永 純也, 佐藤 翔太, 江口 輝生, 熊谷 義直, 東脇 正高
3月25日発表, 25p-61A-9, 現地口頭.
