平成31年度 / bet36体育在线_bet36体育投注-官网网站@元年度
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '19 (LEDIA '19), Apr. 23-25, 2019, Pacifico Yokohama, Japan
1)
Growth of lattice-relaxed InGaN thick films by tri-halide vapor phase epitaxy
K. Ema, R. Uei, M. Kawabe, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
Presentation: Apr. 24, LEDIA-P-23, Poster.
2)
Observation of dislocations in high-quality homoepitaxial AlN layers grown by HVPE on PVT-AlN substrates
Y. Shimizu, D. Saito, N. Takekawa, T. Nagashima, R. Yamamoto, K. Konishi, B. Monemar, and Y. Kumagai
Presentation: Apr. 24, LEDIA-P-25, Poster.
独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光?電子デバイス第162委員会 第113回研究会「ここまで来た！酸化ガリウム半導体?デバイス開発」, 2019年5月10日, 大阪大学吹田キャンパス銀杏会館
3)
(Invited) イオン注入ドーピングを用いたβ-Ga2O3縦型パワーデバイス開発
東脇 正高, Man Hoi Wong, 林 家弘, 湯田 洋平, 綿引 達郎, 山向 幹雄, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直
5月10日発表, 口頭.
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), May. 19-23, 2019, Nara Kasugano International Forum IRAKA, Nara, Japan
4)
Growth of Single Crystalline c-In2O3(111) Layers on Off-Axis c-Plane Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
Yuya Saimoto, Kenta Nagai, Hidetoshi Nakahata, Keita Konishi, and Yoshinao Kumagai
Presentation: May. 20, MoE3-7, Oral.
5)
(Invited) β-Ga2O3 MOSFETs with Nitrogen-Ion-Implanted Back-Barrier: DC Performance and Trapping Effects
Man Hoi Wong, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
Presentation: May. 21, TuD2-5, Oral.
6)
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation
Chia-Hung Lin, Yohei Yuda, Man Hoi Wong, Mayuko Sato, Nao Takekawa, Keita Konishi, Tatsuro Watahiki, Mikio Yamamuka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
Presentation: May. 21, TuD3-8, Oral.
235th ECS Meeting, May. 26-30, 2019, Sheraton Dallas, TX, U.S.A.
7)
(Invited) Vertical Ga2O3 Transistors Fabricated By Ion Implantation Doping
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai
Presentation: May. 27, 1262, Oral.
独立行政法人日本学術振興会先端ナノデバイス?材料テクノロジー第151委員会 bet36体育在线_bet36体育投注-官网网站@元年度第1回研究会「ワイドバンドギャップ半導体の結晶成長の動向」, 2019年5月31日, 東京工業大学大岡山キャンパス
8)
(Invited) p型酸化ガリウムの形成とそのデバイス応用
東脇 正高, ワン マンホイ, 林 家弘, 湯田 洋平, 綿引 達郎, 山向 幹雄, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直
5月31日発表, 口頭.
2019年日本結晶成長学会特別講演会, 2019年6月7日, 京都国立博物館 平成知新館
9)
(Invited) 酸化ガリウムトランジスタ開発の進展
東脇 正高, Man Hoi Wong, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直
6月7日発表, 口頭.
日本結晶成長学会ナノ構造?エピタキシャル成長分科会 第11回ナノ構造?エピタキシャル成長講演会, 2019年6月13日-15日, 広島大学東広島キャンパス学士会館レセプションホール
10)
高温熱処理によるSiイオン注入により損傷したAlN表面の結晶構造回復
竹川 直, 清水 裕大, 齋藤 大地, 永島 徹, 山本 玲緒, 後藤 健, Bo Monemar, 熊谷 義直
6月13日発表, Th-P13, ポスター.
11)
トリハライド気相成長法による格子緩和したInGaN厚膜成長
江間 研太郎, 植井 里緒, 川邉 充希, 村上 尚, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
6月13日発表, Th-P22, ポスター.
12)
HVPE法によるPVT-AlN基板上高速（> 100 μm/h）ホモエピタキシャル成長の検討
齋藤 大地, 清水 裕大, 竹川 直, 永島 徹, 山本 玲緒, 後藤 健, Bo Monemar, 熊谷 義直
6月13日発表, Th-P24, ポスター.
13)
水素?窒素気流中におけるβ-Ga2O3(001)，(010)，(-201)基板の熱的?化学的安定性の検討
富樫 理恵, 山野邉 咲子, 後藤 健, 村上 尚, 山腰 茂伸, 熊谷 義直
6月14日発表, Fr-P3, ポスター.
14)
GaCl及びGaCl3をGa源とするGa2O3 HVPE成長の熱力学解析
加茂 崇, 三浦 遼, 竹川 直, 富樫 理恵, 後藤 健, 熊谷 義直
6月14日発表, Fr-P4, ポスター. ＜発表奨励賞受賞＞賞状
15)
ベータ酸化ガリウムHVPE成長における成長温度および供給VI/III比の影響
後藤 健, 三浦 遼, 加茂 崇, 竹川 直, 村上 尚, 熊谷 義直
6月14日発表, Fr-P5, ポスター.
77th Device Research Conference (77th DRC), Jun. 23-26, 2019, Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI, U.S.A.
16)
(Late News) Enhancement-Mode Current Aperture Vertical Ga2O3 MOSFETs
Man Hoi Wong, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
Presentation: Jun. 25, Oral.
The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13), July. 7-12, 2019, Hyatt Regency Bellevue, Bellevue, WA, U.S.A.
17)
Growth of Lattice-Relaxed InGaN Thick Films on Patterned Sapphire Substrates by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
Kentaro Ema, Rio Uei, Mitsuki Kawabe, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Presentation: July. 8, GP01.13, Poster.
18)
Growth of High Crystalline Quality GaN with High Growth Rate by THVPE
Akira Yamaguchi, Daisuke Oozeki, Naoya Kawamoto, Nao Takekawa, Mayank Bulsara, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto and Akinori Koukitu
Presentation: July. 10, F03.04, Oral.
2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019), Aug. 12-15, 2019, The Blackwell Inn and Pfahl Conference Center, The Ohio State University, Columbus, OH, U.S.A.
19)
Thermodynamic study on halide vapor phase epitaxy of Ga2O3 using GaCl or GaCl3 as a group-III precursor
T. Kamo, R. Miura, N. Takekawa, R. Togashi, K. Goto, and Y. Kumagai
Presentation: Aug. 13, POS 1.26, Poster.
20)
(Invited) Growth of Gallium Oxide by HVPE
Y. Kumagai, K. Konishi, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki
Presentation: Aug. 14, EPI 3.1, Oral.
21)
Influence of growth temperature and input VI/III ratio on crystallinity in homoepitaxy of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
K. Goto, R. Miura, T. Kamo, N. Takekawa, H. Murakami, and Y. Kumagai
Presentation: Aug. 14, EPI 3.3, Oral.
22)
Comparison between lateral and vertical Ga2O3 isolation structures
C. De Santi, A. Nardo, M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
Presentation: Aug. 14, DEV 3.5, Oral.
23)
Impact of electron-beam irradiation on the performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
C.-H. Lin, A. Takeyama, M. Sato, N. Takekawa, K. Konishi, Y. Yuda, T. Watahiki, M. Yamamuka, H. Murakami, Y. Kumagai, T. Ohshima, and M. Higashiwaki
Presentation: Aug. 14, POS 2.11, Poster.
24)
Investigation of Thermal and Chemical Stabilities of (001), (010), and (-201) β-Ga2O3 substrates in a flow of either N2 or H2
R. Togashi, S. Yamanobe, K. Goto, H. Murakami, S. Yamakoshi, and Y. Kumagai
Presentation: Aug. 14, POS 2.26, Poster.
13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019), Aug. 26-29, 2019, Hotel Grand Terrace Toyama, Toyama, Japan
25)
Aperture size engineering of current aperture vertical Ga2O3 MOSFETs
M. H. Wong, H. Murakami, Y. Kumagai, and M. Higashiwaki
Presentation: Aug. 27, 3-3, Poster.
2019年電気学会電子?情報?システム部門大会, 2019年9月4日-7日, 琉球大学工学部
26)
縦型酸化ガリウムトランジスタのデバイスプロセスと特性
東脇 正高, Man Hoi Wong, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直
9月6日発表, TC15-2, 口頭.
4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD IV), Sep. 8-13, 2019, Congress Hall, Holiday Inn Moskovskye Vorota St. Petersburg, Saint Petersburg, Russia
27)
High-speed homoepitaxial growth of AlN above 100 μm/h by hydride vapor phase epitaxy
N. Takekawa, Y. Shimizu, D. Saito, T. Nagashima, R. Yamamoto, K. Goto, B. Monemar, and Y. Kumagai
Presentation: Sep. 10, Tu-8p, Poster.
28)
Study of dislocations in homo- and hetero-epitaxially grown AlN layer
K. Goto, Y. Shimizu, T. Nagashima, R. Yamamoto, N. Takekawa, G. Pozina, R. Dalmau, R. Schlesser, R. Collazo, B. Monemar, Z. Sitar, and Y. Kumagai
Presentation: Sep. 12, Th-1o, Oral.
29)
Structural recovery of Si-ion-implantation damage of AlN surfaces by high temperature heat treatment
Y. Kumagai, Y. Shimizu, D. Saito, T. Nagashima, R. Yamamoto, N. Takekawa, K. Goto, and B. Monemar
Presentation: Sep. 12, Th-3o, Oral.
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年9月18日-21日, 北海道大学札幌キャンパス
30)
HVPE法によるAlN高速ホモエピタキシャル成長とその影響
齋藤 大地, 清水 裕大, 竹川 直, 後藤 健, 永島 徹, 山本 玲緒, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月20日発表, 20p-E310-1, 口頭.
31)
HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長におけるNH3供給分圧の影響
竹川 直, 齋藤 大地, 清水 裕大, 後藤 健, 永島 徹, 山本 玲緒, 熊谷 義直
9月20日発表, 20p-E310-2, 口頭.
32)
In2O3のハライド気相成長におけるIn原料分子種の影響
長井 研太, 田中 那実, 税本 雄也, 富樫 理恵, 竹川 直, 後藤 健, 熊谷 義直
9月21日発表, 21a-B31-8, 口頭.
33)
Siイオン注入プロセスを用いた高純度HVPE-AlN基板表面のn型化
清水 裕大, 齋藤 大地, 竹川 直, 後藤 健, 永島 徹, 山本 玲緒, Bo Monemar, 熊谷 義直
9月21日発表, 21p-E310-3, 口頭.
34)
HVPE法を用いたβ-Ga2O3成長における成長温度と供給VI/III比の影響
後藤 健, 三浦 遼, 加茂 崇, 竹川 直, 村上 尚, 熊谷 義直
9月21日発表, 21p-B31-4, 口頭.
35)
Ga源にGaCl3又はGaClを用いるGa2O3 HVPE成長の熱力学解析
加茂 崇, 三浦 遼, 竹川 直, 富樫 理恵, 後藤 健, 熊谷 義直
9月21日発表, 21p-B31-5, 口頭.
36)
β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの電子線照射に対する耐性
林 家弘, 武山 昭憲, 湯田 洋平, 綿引 達郎, 村上 尚, 熊谷 義直, 大島 武, 東脇 正高
9月21日発表, 21p-E301-2, 口頭.
37)
トリハライド気相成長法によるa面sapphire基板上への ε-Ga2O3成長
江間 研太郎, 竹川 直, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直
9月21日発表, 21p-B31-7, 口頭.
30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2019), Sep. 23-26, 2019, Centre de Congrès Pierre Baudis, Toulouse, France
38)
Stability and degradation of isolation and surface in Ga2O3 devices
C. De Santi, A. Nardo, M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
Presentation: Sep. 25, #167, Oral. ＜Best Paper Award＞
11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11), Oct. 7-9, 2019, Todaiji Temple Culture Center, Nara, Japan
39)
(Invited) Vertical β-Ga2O3 Transistors for Power Switching Applications
M. Higashiwaki, M.H. Wong, K. Goto, H. Murakami and Y. Kumagai
Presentation: Oct. 8, 2pI06, Oral.
236th ECS Meeting, Oct. 13-17, 2019, Hilton Atlanta, Atlanta, GA, U.S.A.
40)
(Keynote) Nitrogen-Ion Implantation Doping of Ga2O3 and Its Application to Transistors
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Ken Goto, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Oct. 15, 1169, Oral.
ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019「深紫外LEDの可能性と生み出す未来」, 2019年10月15日, 徳島大学常三島けやきホール
41)
(Invited) HVPE法を用いた深紫外線LED作製用バルクAlN基板の作製
熊谷義直
10月15日発表, 口頭.
AVS 66th International Symposium & Exhibition, Oct. 20-25, 2019, Greater Columbus Convention Center, Columbus, OH, U.S.A.
42)
The Physics of Low Symmetry Metal Oxides: Applications of Ellipsometry
Alyssa Mock, Sean Knight, Matthew Hilfiker, Vanya Darakchieva, Alexis Papamichail, Rafal Korlacki, Marko Tadjer, Zbigniew Galazka, Gunter Wagner, Nicholas Blumenschein, Akito Kuramata, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki, Akhil Mauze, Yuewei Zhang, James Speck, Mathias Schubert
Presentation: Oct. 23, EL+EM-WeA07, Oral.
第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）, 2019年10月30日-11月1日, 大阪大学銀杏会館
43)
AlNの高温HVPE成長におけるV/III供給比の影響
竹川 直, 齋藤 大地, 清水 裕大, 後藤 健, 永島 徹, 山本 玲緒, 熊谷 義直
10月30日発表, 30p-A10, 口頭. ＜講演奨励賞受賞＞
44)
β-Ga2O3(001), (010), (-201)基板の熱的?化学的安定性の面方位依存性
富樫 理恵, 山野邉 咲子, 後藤 健, 村上 尚, 山腰 茂伸, 熊谷 義直
10月30日発表, 30p-A12, 口頭.
45)
トリハライド気相成長法による ε-Ga2O3成長のsapphire基板面方位依存性
江間 研太郎, 竹川 直, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷 義直
10月30日発表, 30p-A13, 口頭. ＜講演奨励賞受賞＞.
46)
HVPE法で成長したサファイア基板上In2O3単結晶薄膜の電気伝導特性
後藤 健, 長井 研太, 税本 雄也, 田中 那実, 竹川 直, 富樫 理恵, 熊谷 義直
10月30日発表, 30p-A14, 口頭.
47)
(Invited) THVPE法によるIII族窒化物半導体結晶成長の進展
村上 尚, 大関 大輔, 河本 直哉, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
10月31日発表, 31a-A05, 口頭.
48)
In2O3及びGa2O3のHVPE成長におけるIII族原料の熱力学的比較
田中 那実, 税本 雄也, 長井 研太, 富樫 理恵, 竹川 直, 後藤 健, 熊谷 義直
10月31日発表, 31p-P30, ポスター.
49)
(Invited) ハライド気相成長法を用いたβ-Ga2O3ホモエピタキシャルウェハ量産技術の確立
熊谷 義直, 後藤 健, 村上 尚, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 東脇 正高
11月1日発表, 01a-B02, 口頭.
The 5th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2019), Nov. 5-8, 2019, Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju, Korea
50)
(Invited) Development of Vertical Ga2O3 Power Transistors
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 6, 08-0358, Oral.
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019), Nov. 10-15, 2019, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University (OIST), Okinawa, Japan
51)
Comparison of thermodynamics on growth of In2O3 and Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy using mono- and tri-halides
Nami Tanaka, Yuya Saimoto, Kenta Nagai, Rie Togashi, Nao Takekawa, Ken Goto, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 11, MoP-GR-14, Poster.
52)
(Invited) Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy for the preparation of epitaxial wafers for vertical power device application
Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Keita Konishi, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, and Masataka Higashiwaki
Presentation: Nov. 11, GR2-1, Oral.
53)
Study on halide vapor phase epitaxy growth of twin-free cubic-indium oxide and its carrier properties
Ken Goto, Kenta Nagai, Yuya Saimoto, Nami Tanaka, Nao Takekawa, Rie Togashi, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 12, GR3-4, Oral.
54)
(Invited) Phonons, free charge carriers, excitons and band-to-band transitions in beta Ga2O3 and related alloys determined by ellipsometry and optical Hall effect
M. Schubert, A. Mock, S. Knight, M. Hilfiker, M. Stokey, V. Darakchieva, A. Papamichail, R. Korlacki, M.J. Tadjer, Z. Galazka, G. Wagner, N. Blumenschein, A. Kuramata, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Mauze, Y. Zhang, and J. S. Speck
Presentation: Nov. 13, CH3-1, Oral.
55)
Influence of substrate constraint on the emergence of metastable α-Ga2O3
Chika Ohashi, Takashi Kamo, Ryo Miura, Nao Takekawa, Rie Togashi, Ken Goto, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 14, ThP-GR-15, Poster.
56)
Investigation of Etching Characteristics of HVPE-Grown In2O3 Layers by Hydrogen-Environment Anisotropic Thermal Etching
Ryo Kasaba, Yuki Ooe, Kenta Nagai, Ken Goto, Rie Togashi, Akihiko Kikuchi, and Yoshinao Kumagai
Presentation: Nov. 14, ThP-CH-14, Poster.
2019 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2019), Dec. 1-6, 2019, Fairmont Orchid Hotel, Kohala Coast, HI, U.S.A.
57)
(Invited) Vertical Ga2O3 MOSFETs Fabricated by Ion Implantation Process
Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong and Yoshinao Kumagai
Presentation: Dec. 4, Oral.
47th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-47), Jan. 19-23, 2020, Millennium Harvest House in Boulder, Boulder, CO, U.S.A.
58)
(Invited) Nitrogen Doping of Gallium Oxide by Ion Implantation and its Application to Vertical Transistors
M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai
Presentation: Jan. 22, Oral.
2020 Photonics West, Feb. 1-6, 2020, The Moscone Center, San Francisco, CA, U.S.A.
59)
(Invited) Current status of halide vapor phase epitaxy of Ga2O3 and related sesquioxides
Ken Goto, Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai
Presentation: Feb. 3, 11281-11, Oral.
60)
(Invited) Vertical Ga2O3 transistors based on ion implantation doping technology
Man Hoi Wong, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
Presentation: Feb. 4, 11281-14, Oral.
61)
Charge trapping and degradation of Ga2O3 isolation structures for power electronics
Carlo De Santi, Arianna Nardo, Man Hoi Wong, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini
Presentation: Feb. 4, 11281-17, Oral.
62)
(Invited) Recent progress of thick GaN and InGaN growth via HVPE and THVPE
Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Presentation: Feb. 5, 11302-42, Oral.
第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12日-15日, 上智大学四谷キャンパス
63)
水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価
富樫 理恵, 笠羽 遼, 大江 優輝, 長井 研太, 後藤 健, 熊谷 義直, 菊池 昭彦
3月13日発表, 13a-D419-7.
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64)
PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価
秩父 重英, 嶋 紘平, 小島 一信, Baxter Moody, 三田 清二, Ramon Collazo, Zlatko Sitar, 熊谷 義直, 上殿 明良
3月15日発表, 15p-A302-4.
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